IPD60R400CEAUMA1 与 STD16N60M2 区别
| 型号 | IPD60R400CEAUMA1 | STD16N60M2 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IPD60R400CEAUMA1 | A3-STD16N60M2 |
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | 112W(Tc) | - |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 700pF @ 100V | - |
| FET类型 | N 通道 | - |
| 封装/外壳 | TO-252 | DPAK |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 300uA | - |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 32nC @ 10V | - |
| 工作温度 | -40°C~150°C(TJ) | - |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 400 毫欧 @ 3.8A,10V | - |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 14.7A(Tc) | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | - |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 117,500 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 5 - 7天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IPD60R400CEAUMA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -40°C~150°C(TJ) TO-252 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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STD16N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
暂无价格 | 117,500 | 对比 | ||||
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AOD11S60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 600V 30V 11A 208W 399mΩ@10V |
￥3.0294
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43 | 对比 | ||||
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STD16N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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AOD11S60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 600V 30V 11A 208W 399mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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