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IRF1010EPBF  与  PSMN3R0-60PS,127  区别

型号 IRF1010EPBF PSMN3R0-60PS,127
唯样编号 A-IRF1010EPBF A-PSMN3R0-60PS,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 200 W 130 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 12mΩ@50A,10V -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 306W
输出电容 - 971pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB SOT78
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 84A 100A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3210pF @ 25V -
输入电容 - 8079pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 3mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3210pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥20.2691
50+ :  ¥16.614
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1010EPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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10: ¥8.3172
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PSMN3R0-60PS_SOT78

¥20.2691 

阶梯数 价格
20: ¥20.2691
50: ¥16.614
0 对比

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