IRF540NSTRLPBF 与 STB30NF10T4 区别
| 型号 | IRF540NSTRLPBF | STB30NF10T4 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF540NSTRLPBF | A3-STB30NF10T4 |
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 44mΩ@16A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 100V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 130W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | TO-263-3 | TO-263-3 |
| 连续漏极电流Id | 33A(Tc) | - |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1960pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 71nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 6,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 5 - 7天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF540NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100V 33A(Tc) ±20V 130W(Tc) 44mΩ@16A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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STB30NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 6,000 | 对比 |
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STB60NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 |
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BUK9640-100A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 158W 175°C 1.5V 100V 39A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF540NSTRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 130W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 44mΩ@16A,10V N-Channel 100V 33A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
STB30NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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