| 制造商编号 | IRF540NSTRLPBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-IRF540NSTRLPBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
FET类型：N-Channel 漏源极电压Vds：100V 连续漏极电流Id：33A(Tc) 栅极电压Vgs：±20V Pd-功率耗散(Max)：130W(Tc)
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET |
Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：800
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
非常适合用于USB-PD和快速充电器设计
根据超结原理 (SJ) 设计，极低的开关和传导损耗
采用TrenchStop™和Fieldstop技术，可提供卓越的开关性能
Infineon Technologies TRENCHSTOP™ RC-H5 1200V/1350V IGBT开发和优化用于满足感应烹饪应用的严格要求。
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CQA34P15 | 12,010 |
| CQA34N00 | 9,010 |
| PMLL4148L,115 | 9,000 |
| SLF65R380E7 | 5,000 |
| IPB020N08N5 | 4,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF540NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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STB30NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||
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STB60NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||||
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BUK9640-100A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
BUK9640-100A_SOT404 |
￥8.3584
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0 | 对比 | ||||||||
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BUK7640-100A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
BUK7640-100A_SOT404 |
￥13.5938
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0 | 对比 | ||||||||
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IRF540NSTRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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