IRF630NPBF 与 IRF630 区别
| 型号 | IRF630NPBF | IRF630 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF630NPBF | A-IRF630 |
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 4.4mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 300mΩ | - |
| 上升时间 | 14ns | - |
| Qg-栅极电荷 | 23.3nC | - |
| 栅极电压Vgs | 20V | - |
| 正向跨导 - 最小值 | 4.9S | - |
| 封装/外壳 | TO-220AB | TO-220-3 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 9.3A | - |
| 配置 | Single | - |
| 长度 | 10mm | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 下降时间 | 15ns | - |
| 高度 | 15.65mm | - |
| 漏源极电压Vds | 200V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 82W | - |
| 典型关闭延迟时间 | 27ns | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 575pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 35nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | 7.9ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 1,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
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