IRF630NPBF 与 IRF630 区别
| 型号 | IRF630NPBF | IRF630 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF630NPBF | A36-IRF630 | ||
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 宽度 | 4.4mm | - | ||
| 上升时间 | 14ns | - | ||
| Qg-栅极电荷 | 23.3nC | - | ||
| 栅极电压Vgs | 20V | - | ||
| 正向跨导 - 最小值 | 4.9S | - | ||
| 封装/外壳 | TO-220AB | TO-220-3 | ||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - | ||
| 连续漏极电流Id | 9.3A | - | ||
| 配置 | Single | - | ||
| 长度 | 10mm | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||
| 下降时间 | 15ns | - | ||
| 导通电阻Rds(On) | 300mΩ | - | ||
| 高度 | 15.65mm | - | ||
| 功率耗散Pd | 82W | - | ||
| 漏源极电压Vds | 200V | - | ||
| 典型关闭延迟时间 | 27ns | - | ||
| FET类型 | N-Channel | - | ||
| 系列 | HEXFET® | - | ||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 575pF @ 25V | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 35nC @ 10V | - | ||
| 典型接通延迟时间 | 7.9ns | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 13 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF630NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 200V 9.3A 300mΩ 20V 82W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
|
IRF630 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 40,000 | 对比 | ||||
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IRF630 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220-3 |
￥5.316
|
13 | 对比 | ||||
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IRF630 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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|
IRF630 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
IRF630PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 74W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 200V 9A 400mΩ |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
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