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IRF630NSTRLPBF  与  IRF630NS  区别

型号 IRF630NSTRLPBF IRF630NS
唯样编号 A-IRF630NSTRLPBF A-IRF630NS
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 82 W 35 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount -D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 300mΩ@5.4A,10V 300mΩ@5.4A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 82W(Tc) 82W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263AB D2PAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 9.3A 9.3A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 575pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 575pF @ 25V 575pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V 35nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF630NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
IRF630NS Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF630NSTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比

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