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IRF630NSTRLPBF  与  IRF630NSTRRPBF  区别

型号 IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRRPBF
唯样编号 A-IRF630NSTRLPBF A-IRF630NSTRRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 82 W 35 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount -D2PAK-3 MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 82W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 300mΩ@5.4A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 575pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-263AB TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 9.3A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 300 毫欧 @ 5.4A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 575pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 200V -
Pd-功率耗散(Max) 82W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 575pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 9.3A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 200V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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