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IRF7103TRPBF  与  QS6K21TR  区别

型号 IRF7103TRPBF QS6K21TR
唯样编号 A-IRF7103TRPBF A-QS6K21TR
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Dual N-Channel 50 V 2 W 12 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 130mΩ@3A,10V -
漏源极电压Vds 50V -
功率-最大值 - 1.25W
Pd-功率耗散(Max) 2W -
FET类型 N-Channel 2 N-通道(双)
封装/外壳 8-SO TSMT6(SC-95)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 1mA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 290pF @ 25V -
FET功能 - 标准
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1A
漏源电压(Vdss) - 45V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 290pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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