IRF7103TRPBF 与 QS6K21TR 区别
| 型号 | IRF7103TRPBF | QS6K21TR |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7103TRPBF | A3x-QS6K21TR |
| 制造商 | Infineon Technologies | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Dual N-Channel 50 V 2 W 12 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 130mΩ@3A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 50V | - |
| 功率-最大值 | - | 1.25W |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | - |
| FET类型 | N-Channel | 2 N-通道(双) |
| 封装/外壳 | 8-SO | TSMT6(SC-95) |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 3A | - |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 1.5V @ 1mA |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 290pF @ 25V | - |
| FET功能 | - | 标准 |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 30nC @ 10V | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 1A |
| 漏源电压(Vdss) | - | 45V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 290pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 30nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 3,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7103TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 130mΩ@3A,10V 2W N-Channel 50V 3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
QS6K21TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 2 N-通道(双) TSMT6(SC-95) |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
|
|
QS6K21TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 2 N-通道(双) TSMT6(SC-95) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
DMN6070SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
80mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 60V 3.3A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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