IRF7328TRPBF 与 DMP4025LSD-13 区别
| 型号 | IRF7328TRPBF | DMP4025LSD-13 | ||||||||
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| 唯样编号 | A-IRF7328TRPBF | A36-DMP4025LSD-13 | ||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | Dual P-Channel 30 V 2 W 52 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 21mΩ@8A,10V | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 40V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 1.8W | ||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 25mΩ@3A,10V | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1640pF @ 20V | ||||||||
| FET类型 | P-Channel | 2P-Channel | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 33.7nC @ 10V | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SO | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 8A | 6.9A | ||||||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2675pF @ 25V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 78nC @ 10V | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2675pF @ 25V | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 78nC @ 10V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 5,554 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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IRF7328TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 21mΩ@8A,10V 2W P-Channel 30V 8A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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FDS4935BZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
22m Ohms@6.9A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC P-Channel 30V 6.9A 8-SOIC |
暂无价格 | 22,500 | 对比 |
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FDS4935BZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
22m Ohms@6.9A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC P-Channel 30V 6.9A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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