首页 > 商品目录 > > > > IRF7341TRPBF代替型号比较

IRF7341TRPBF  与  AO4828  区别

型号 IRF7341TRPBF AO4828
唯样编号 A-IRF7341TRPBF A3-AO4828
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 25
Td(off)(ns) - 15.7
Rds On(Max)@Id,Vgs 50mΩ@4.7A,10V 56mΩ@4.5A,10V
漏源极电压Vds 55V 60V
Rds On(Max)@4.5V - 77mΩ
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
Qrr(nC) - 32
VGS(th) - 3
Qgd(nC) - 2.2
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
Td(on)(ns) - 4.7
封装/外壳 SOIC SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id 4.7A 4.5A
系列 HEXFET® -
Ciss(pF) - 450
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V -
Trr(ns) - 27.5
Coss(pF) - 60
Qg*(nC) - 4.3
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7341TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOIC

暂无价格 0 当前型号
DMN6040SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

暂无价格 5,250 对比
AO4828 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
AO4828 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
DMN6040SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

暂无价格 0 对比
IRF7341PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售