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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | SO-8 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 连续漏极电流Id | 4.5A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 56mΩ@4.5A,10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 77mΩ | |
| VGS(th) | 3 | |
| Ciss(pF) | 450 | |
| Coss(pF) | 60 | |
| Crss(pF) | 25 | |
| Qg*(nC) | 4.3 | |
| Qgd(nC) | 2.2 | |
| Td(on)(ns) | 4.7 | |
| Td(off)(ns) | 15.7 | |
| Trr(ns) | 27.5 | |
| Qrr(nC) | 32 | |
| 工作温度 | -55℃~150℃ |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
具有集成双共漏极N沟道MOSFET的电池保护IC
具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LMP22D5N3T5G | 200,000 |
| PJA3441-AU_R1_000A1 | 33,000 |
| IPB200N25N3 G | 33,000 |
| PMPB215ENEAX | 18,000 |
| PJA3440-AU_R1_000A1 | 15,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AO4828 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRF7341PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF7341 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF7341TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMN6066SSDQ-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | |
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IRF7341TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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