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IRF7416TRPBF  与  FDS4685  区别

型号 IRF7416TRPBF FDS4685
唯样编号 A-IRF7416TRPBF A-FDS4685
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single HexFet -30 V 2.5 W 92 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 P-Channel 40 V 27 mO 1.2 W PowerTrench Mosfet SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@5.6A,10V 27m Ohms@8.2A,10V
漏源极电压Vds 30V 40V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-SO 8-SOIC
连续漏极电流Id 10A 8.2A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V 1872pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 92nC @ 10V 27nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

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