IRF7416TRPBF 与 IRF7416PBF 区别
| 型号 | IRF7416TRPBF | IRF7416PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7416TRPBF | A-IRF7416PBF |
| 制造商 | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single HexFet -30 V 2.5 W 92 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 20mΩ@5.6A,10V | 20mΩ@5.6A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.5W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SO |
| 连续漏极电流Id | 10A | 10A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1700pF @ 25V | 1700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 92nC @ 10V | 92nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1700pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 92nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 4,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF7416TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
20mΩ@5.6A,10V P-Channel 30V 10A 8-SO |
暂无价格 | 4,000 | 当前型号 | ||||
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AO4419 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V |
￥1.2352
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0 | 对比 | ||||
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IRF7416PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 20mΩ@5.6A,10V P-Channel 30V 10A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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DMG4435SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C SO-8 7.3A 2.5W 16mΩ@11A,20V 30V ±25V P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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|
DMG4435SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C SO-8 7.3A 2.5W 16mΩ@11A,20V 30V ±25V P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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FDS4685 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.2A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 27m Ohms@8.2A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC P-Channel 40V 8.2A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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