IRF8707TRPBF 与 RS3E095BNGZETB 区别
| 型号 | IRF8707TRPBF | RS3E095BNGZETB | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF8707TRPBF | A33-RS3E095BNGZETB | ||||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 11.9mΩ@11A,10V | 14.6mΩ@9.5A,10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | 2W(Tc) | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SOIC | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 11A | 9.5A(Ta) | ||||||||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.35V @ 25µA | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 760pF @ 15V | - | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 9.3nC @ 4.5V | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 10V | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.35V @ 25µA | 2.5V @ 1mA | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 760pF @ 15V | 680pF @ 15V | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 9.3nC @ 4.5V | 8.3nC @ 4.5V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 2,152 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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IRF8707TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 11.9mΩ@11A,10V N-Channel 30V 11A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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FDS6690A | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||||||||||
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RS3E095BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥2.6831
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2,500 | 对比 | ||||||||||||
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FDS6690A | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel |
￥2.618
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2,157 | 对比 | ||||||||||||
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RS3E095BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥2.6831
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2,152 | 对比 | ||||||||||||
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SI4410DYTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V ±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) N-Channel 10A(Ta) 13.5mΩ@10A,10V 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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