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IRFB3307PBF  与  AOT2606L  区别

型号 IRFB3307PBF AOT2606L
唯样编号 A-IRFB3307PBF A-AOT2606L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 16.8
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 5
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 18
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 120A 72A
Ciss(pF) - 4050
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5150pF @ 50V -
导通电阻Rds(On) 6.3mΩ@75A,10V 6.5mΩ@10V
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 26
Td(off)(ns) - 33
功率耗散Pd 200W(Tc) 115W
漏源极电压Vds 75V 60V
Qrr(nC) - 125
VGS(th) - 3.5
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5150pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 180nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 180nC @ 10V -
Coss(pF) - 345
Qg*(nC) - 22 Ohms
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB3307PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.3mΩ@75A,10V N-Channel 75V 120A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
STP140NF75 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 310W(Tc) 7.5mΩ@70A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 75V 120A

暂无价格 3,000 对比
STP140NF75 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 310W(Tc) 7.5mΩ@70A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 75V 120A

¥10.044 

阶梯数 价格
5: ¥10.044
100: ¥8.52
1,000: ¥8.22
1,000 对比
AOT472 AOS  数据手册 功率MOSFET

±20V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 75V 10A(Ta),140A(Tc) 8.9mΩ@30A,10V TO220 417W

暂无价格 0 对比
STP140NF75 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 310W(Tc) 7.5mΩ@70A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 75V 120A

暂无价格 0 对比
AOT2606L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 60V 20V 72A 115W 6.5mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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