尊敬的客户:端午节6月8日至6月10日我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > IRFH5304TRPBF代替型号比较

IRFH5304TRPBF  与  AON7788  区别

型号 IRFH5304TRPBF AON7788
唯样编号 A-IRFH5304TRPBF A-AON7788
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 3.6 W 16 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@47A,10V 4.5 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.6W(Ta),46W(Tc) 3.1W(Ta),36W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PQFN(5x6) 8-DFN(3x3)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 22A 20A(Ta),40A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 50µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2360pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V -
栅极电荷Qg - 29nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 50µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2360pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFH5304TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 当前型号
AON7522E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥3.0924 

阶梯数 价格
1,020: ¥3.0924
2,500: ¥2.4184
5,000: ¥1.8864
0 对比
AON7568 AOS  数据手册 功率MOSFET

8-DFN(3x3)

暂无价格 0 对比
TPN4R303NL,L1Q Toshiba  数据手册 通用MOSFET

8-TSONAdvance(3.1x3.1)

暂无价格 0 对比
AON7788 AOS 功率MOSFET

8-DFN(3x3)

暂无价格 0 对比
AON6510 AOS  数据手册 功率MOSFET

8-DFN(5x6)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售