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IRFL024ZTRPBF  与  STN3NF06L  区别

型号 IRFL024ZTRPBF STN3NF06L
唯样编号 A-IRFL024ZTRPBF A-STN3NF06L
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 55 V 2.8 W 9.1 nC Surface Mount HEXFET Power Mosfet - SOT-223 STN3NF06L Series 60 V 0.1 Ohm N-Channel STripFET™ II Power MosFet - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 57.5mΩ@3.1A,10V 100mΩ@1.5A,10V
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 3.3W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT-223
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.1A 4A
系列 HEXFET® STripFET™ II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 2.8V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 25V 340pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V 9nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 5V,10V
库存与单价
库存 2,500 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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