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IRFR1010ZTRLPBF  与  TK80S06K3L(T6L1,NQ  区别

型号 IRFR1010ZTRLPBF TK80S06K3L(T6L1,NQ
唯样编号 A-IRFR1010ZTRLPBF A-TK80S06K3L(T6L1,NQ
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.5mΩ@42A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 55V 60 V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 100W(Tc)
产品状态 - 最后售卖
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 5.5 毫欧 @ 40A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4200 pF @ 10 V
Vgs(th) - 3V @ 1mA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 85 nC @ 10 V
封装/外壳 DPAK DPAK+
连续漏极电流Id 42A(Tc) 80A(Ta)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175°C(TJ)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2840pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 95nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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DPAK

暂无价格 0 当前型号
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