首页 > 商品目录 > > > > IRFR120NTRPBF代替型号比较

IRFR120NTRPBF  与  DMN10H170SK3-13  区别

型号 IRFR120NTRPBF DMN10H170SK3-13
唯样编号 A-IRFR120NTRPBF A-DMN10H170SK3-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 48 W 25 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 210mΩ@5.6A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 48W 42W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 140mΩ@5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1167 pF @ 25 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9.7 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 9.4A 12A(Tc)
系列 HEXFET® -
驱动电压 - 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR120NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
STD6NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 2,500 对比
STD6NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IRFR120NTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
IRFR120ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售