首页 > 商品目录 > > > > IRFR220NTRPBF代替型号比较

IRFR220NTRPBF  与  IRFR220NTRRPBF  区别

型号 IRFR220NTRPBF IRFR220NTRRPBF
唯样编号 A-IRFR220NTRPBF A-IRFR220NTRRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 600mΩ@2.9A,10V 600mΩ@2.9A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 43W(Tc) 43W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak DPAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 5A 5A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 25V 300pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V 23nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR220NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 当前型号
STD5N20LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 20,000 对比
STD5N20LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
AOD450 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 对比
IRFR220NTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
PSMN130-200D,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN130-200D_SOT428

¥18.4793 

阶梯数 价格
400: ¥18.4793
1,000: ¥13.6884
1,250: ¥10.694
2,500: ¥8.7656
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售