IRFR220NTRPBF 与 PSMN130-200D,118 区别
| 型号 | IRFR220NTRPBF | PSMN130-200D,118 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFR220NTRPBF | A-PSMN130-200D,118 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 20A DPAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 600mΩ@2.9A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V |
| Pd-功率耗散(Max) | 43W(Tc) | 150W |
| 输出电容 | - | 207pF |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 3V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | D-Pak | SOT428 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 175°C |
| 连续漏极电流Id | 5A | 20A |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 300pF @ 25V | - |
| 输入电容 | - | 2470pF |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 23nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 130mΩ@10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 300pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 23nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 2,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR220NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 43W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 600mΩ@2.9A,10V N-Channel 200V 5A D-Pak |
暂无价格 | 2,000 | 当前型号 |
|
STD5N20LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 20,000 | 对比 |
|
|
STD5N20LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AOD450 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 200V 30V 3.8A 25W 700mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRFR220NTRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 200V 5A(Tc) ±20V 43W(Tc) 600mΩ@2.9A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
PSMN130-200D,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 150W 175°C 3V 200V 20A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
