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IRFR3710ZTRPBF  与  TK40S10K3Z(T6L1,NQ  区别

型号 IRFR3710ZTRPBF TK40S10K3Z(T6L1,NQ
唯样编号 A-IRFR3710ZTRPBF A-TK40S10K3Z(T6L1,NQ
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 40A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 18mΩ@33A,10V -
产品状态 - 最后售卖
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3110 pF @ 10 V
Vgs(th) - 4V @ 1mA
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 61 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3 DPAK+
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 56A 40A(Ta)
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2930pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V 100 V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 93W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 18 毫欧 @ 20A,10V
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2930pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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