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IRL6372TRPBF  与  AO4818B  区别

型号 IRL6372TRPBF AO4818B
唯样编号 A-IRL6372TRPBF A-AO4818B
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N-Channel 30 V 23 mOhm 11 nC 2 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 82
Rds On(Max)@Id,Vgs 17.9mΩ@8.1A,4.5V 19mΩ@8A,10V
ESD Diode - Yes
Rds On(Max)@4.5V - 26mΩ
Qgd(nC) - 3
栅极电压Vgs - ±20V
Td(on)(ns) - 5
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 8.1A 8A
Ciss(pF) - 740
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1020pF @ 25V -
Trr(ns) - 8
Td(off)(ns) - 19
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
Qrr(nC) - 18
VGS(th) - 2.4
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1020pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V -
Coss(pF) - 110
Qg*(nC) - 7.5
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRL6372TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 17.9mΩ@8.1A,4.5V 2W N-Channel 30V 8.1A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
AO4822A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C

¥1.5718 

阶梯数 价格
3,000: ¥1.5718
0 对比
AO4842 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 7.7A 2W 21mΩ@10V

暂无价格 0 对比
DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

15mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO 30V 8.4A 2N-Channel

暂无价格 0 对比
DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

15mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO 30V 8.4A 2N-Channel

暂无价格 0 对比
AO4818B AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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