IRL6372TRPBF 与 DMN3015LSD-13 区别
| 型号 | IRL6372TRPBF | DMN3015LSD-13 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRL6372TRPBF | A3-DMN3015LSD-13 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Dual N-Channel 30 V 23 mOhm 11 nC 2 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 17.9mΩ@8.1A,4.5V | 15mΩ@12A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 1.2W |
| FET类型 | N-Channel | 2N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SO | SO |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 8.1A | 8.4A |
| 系列 | HEXFET® | DMN3015 |
| 通道数量 | - | 2Channel |
| 配置 | - | Dual |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.1V @ 10µA | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1020pF @ 25V | 1415pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 11nC @ 4.5V | 25.1nC @ 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.1V @ 10µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1020pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 11nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRL6372TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 17.9mΩ@8.1A,4.5V 2W N-Channel 30V 8.1A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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AO4822A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
￥1.5718
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0 | 对比 | ||||
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AO4842 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 7.7A 2W 21mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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DMN3015LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
15mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO 30V 8.4A 2N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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DMN3015LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
15mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO 30V 8.4A 2N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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AO4818B | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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