IRL6372TRPBF 与 DMG4822SSD-13 区别
| 型号 | IRL6372TRPBF | DMG4822SSD-13 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRL6372TRPBF | A36-DMG4822SSD-13 | ||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | Dual N-Channel 30 V 23 mOhm 11 nC 2 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 17.9mΩ@8.1A,4.5V | 20mΩ | ||||||||
| 上升时间 | - | 7.9ns | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 1.42W | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 10.5nC | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 25V | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 14.6ns | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 200mS | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-SO | SO-8 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 8.1A | 10A | ||||||||
| 系列 | HEXFET® | DMG4822 | ||||||||
| 通道数量 | - | 2Channel | ||||||||
| 配置 | - | Dual | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.1V @ 10µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1020pF @ 25V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 11nC @ 4.5V | - | ||||||||
| 下降时间 | - | 3.1ns | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 2.9ns | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.1V @ 10µA | - | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1020pF @ 25V | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 11nC @ 4.5V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 2,518 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRL6372TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 17.9mΩ@8.1A,4.5V 2W N-Channel 30V 8.1A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
|
AO4822A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
￥1.5718
|
0 | 对比 | ||||
|
|
AO4842 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 7.7A 2W 21mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
DMN3015LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
15mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO 30V 8.4A 2N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
DMN3015LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
15mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO 30V 8.4A 2N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
AO4818B | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
