IRLL014NTRPBF 与 ZXMN6A11GTA 区别
| 型号 | IRLL014NTRPBF | ZXMN6A11GTA |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLL014NTRPBF | A36-ZXMN6A11GTA |
| 制造商 | Infineon Technologies | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | MOSFET |
| 描述 | ZXMN6A11G Series 60 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-223 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 1W(Ta) | - |
| 漏源极电压Vds | 55V | - |
| 栅极电压Vgs | ±16V | - |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | SOT-223 | SOT-223 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 2.8A | - |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 230pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 14nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 230pF @ 25V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 140mΩ@2A,10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 14nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 2,500 | 11 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRLL014NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 140mΩ@2A,10V N-Channel 55V 2.8A SOT-223 |
暂无价格 | 2,500 | 当前型号 | ||||
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STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||
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STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
￥1.0888
|
2,145 | 对比 | ||||
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ZXMN6A11GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SOT-223 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||
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|
ZXMN6A11GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SOT-223 |
暂无价格 | 11 | 对比 | ||||
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STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
暂无价格 | 1 | 对比 |
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