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IRLML2502TRPBF  与  ZXMN2F30FHTA  区别

型号 IRLML2502TRPBF ZXMN2F30FHTA
唯样编号 A-IRLML2502TRPBF A-ZXMN2F30FHTA
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 45mΩ@4.2A,4.5V -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) 960mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 45mΩ@2.5A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 452 pF @ 10 V
栅极电压Vgs ±12V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 4.8 nC @ 4.5 V
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
连续漏极电流Id 4.2A(Ta) 4.1A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA -
驱动电压 - 2.5V,4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML2502TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
DMN2075U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 52,000 对比
AO3414 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

¥0.3846 

阶梯数 价格
1: ¥0.3846
100: ¥0.3061
1,000: ¥0.2206
1,500: ¥0.1899
3,000: ¥0.15
476 对比
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比
IPD090N03L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD090N03LGATMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比
ZXMN2F30FHTA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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