首页 > 商品目录 > > > > IRLML2502TRPBF代替型号比较

IRLML2502TRPBF  与  DMN2075U-7  区别

型号 IRLML2502TRPBF DMN2075U-7
唯样编号 A-IRLML2502TRPBF A3-DMN2075U-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 Single N-Channel 20 V 45 mOhm 7 nC 0.8 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 45mΩ@4.2A,4.5V 25mΩ
上升时间 - 9.8ns
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) 800mW
栅极电压Vgs ±12V 8V
典型关闭延迟时间 - 28.1ns
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
连续漏极电流Id 4.2A(Ta) 4.2A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 HEXFET® DMN2075
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 15V 594.3pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 5V 7nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.5V,4.5V
下降时间 - 6.7ns
典型接通延迟时间 - 7.4ns
库存与单价
库存 0 52,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML2502TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
DMN2075U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 52,000 对比
AO3414 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

¥0.3846 

阶梯数 价格
1: ¥0.3846
100: ¥0.3061
1,000: ¥0.2206
1,500: ¥0.1899
3,000: ¥0.15
476 对比
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比
IPD090N03L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD090N03LGATMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比
ZXMN2F30FHTA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售