IRLMS2002TRPBF 与 SI3460DDV-T1-GE3 区别
| 型号 | IRLMS2002TRPBF | SI3460DDV-T1-GE3 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLMS2002TRPBF | A36-SI3460DDV-T1-GE3 | ||||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Single N-Channel 20 V 2 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-6 | N-Channel 20 V 0.028 Ohm 2.7 W Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 2W(Ta) | 1.7W(Ta),2.7W(Tc) | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 1V | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±8V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | Micro6™(SOT23-6) | TSOP-6 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 6.5A | 7.9A | ||||||||||
| 系列 | HEXFET® | TrenchFET® | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 250µA | 1V @ 250µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1310pF @ 15V | 666pF @ 10V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 22nC @ 5V | 18nC @ 8V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | 1.8V,4.5V | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 250µA | - | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1310pF @ 15V | - | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 30mΩ@6.5A,4.5V | 23mΩ | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 22nC @ 5V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 14,356 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLMS2002TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 30mΩ@6.5A,4.5V N-Channel 20V 6.5A Micro6™(SOT23-6) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
|
DMG6402LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 6A 1.75W 30mΩ 30V 1.5V |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||||||||
|
|
DMG6402LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 6A 1.75W 30mΩ 30V 1.5V |
￥0.7584
|
754 | 对比 | ||||||||||||
|
|
DMG6402LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 6A 1.75W 30mΩ 30V 1.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
|
SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 1.7W(Ta),2.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 7.9A 23mΩ 1V |
￥1.992
|
14,356 | 对比 | ||||||||||||
|
|
SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 1.7W(Ta),2.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 7.9A 23mΩ 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
