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IRLR3410TRLPBF  与  AUIRLR3410TRL  区别

型号 IRLR3410TRLPBF AUIRLR3410TRL
唯样编号 A-IRLR3410TRLPBF A-AUIRLR3410TRL
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 100V, 15A, 105 mOhm, 22.7 nC Qg, Logic Level, D-Pak AUIRLR3410 Series 100 V 105 mOhm 17 A Hexfet Power Mosfet - TO-252-3 (DPAK)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 79W(Tc) 79W(Tc)
漏源极电压Vds 100V 100V
产品特性 - 车规
栅极电压Vgs ±16V ±16V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak D-Pak
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 17A 17A
系列 HEXFET® 汽车级,AEC-Q101,HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V 800pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 5V 34nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V 800pF @ 25V
导通电阻Rds(On) 105mΩ@10A,10V 105mΩ@10A,10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 5V 34nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR3410TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 105mΩ@10A,10V N-Channel 100V 17A D-Pak

暂无价格 0 当前型号
STD6NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥5.187 

阶梯数 价格
10: ¥5.187
100: ¥4.316
1,250: ¥3.926
2,500: ¥3.757
2,500 对比
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 100V 20V 7A 17W 140mΩ@10V

¥2.444 

阶梯数 价格
30: ¥2.444
100: ¥1.885
706 对比
STD6NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
AUIRLR3410TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 105mΩ@10A,10V N-Channel 100V 17A D-Pak 车规

暂无价格 0 对比
STD6NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

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