IRLR3636TRLPBF 与 IRLR3636TRPBF 区别
| 型号 | IRLR3636TRLPBF | IRLR3636TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLR3636TRLPBF | A-IRLR3636TRPBF |
| 制造商 | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRLR3636TRLPBF, 99 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装 | Single N-Channel 60 V 6.8 mOhm 49 nC 140 W Hexfet® Power Mosfet - TO-252-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 2.39mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.3mΩ | 6.8mΩ@50A,10V |
| 引脚数目 | 3 | - |
| 最小栅阈值电压 | 1V | - |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 4.5V | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±16V |
| 封装/外壳 | - | D-Pak |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 99A | 99A |
| 长度 | 6.73mm | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | - |
| 正向二极管电压 | 1.3V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 100µA | 2.5V @ 100µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3779pF | 3779pF @ 50V |
| 高度 | 6.22mm | - |
| 类别 | 功率 MOSFET | - |
| 典型关断延迟时间 | 43 ns | - |
| 漏源极电压Vds | - | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 143W | 143W(Tc) |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 50V | - |
| 系列 | HEXFET | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3779pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 49nC @ 4.5V |
| 典型接通延迟时间 | 45 ns | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 49nC | 49nC @ 4.5V |
| 正向跨导 | 31S | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRLR3636TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 99A 8.3mΩ 143W |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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TK60S06K3L(T6L1,NQ | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 88W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 60A(Ta) |
￥8.3367
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1,734 | 对比 | ||||||||||||||
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TK60S06K3L(T6L1,NQ | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 88W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 60A(Ta) |
￥8.3367
|
1,491 | 对比 | ||||||||||||||
|
IRLR3636TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 143W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.8mΩ@50A,10V N-Channel 60V 99A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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IPD079N06L3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C 60V 50A 7.9mΩ@50A,10V ±20V 79W N-Channel TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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AOD2606 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V 20V 46A 150W 6.8mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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