IRLR3636TRLPBF 与 TK60S06K3L(T6L1,NQ 区别
| 型号 | IRLR3636TRLPBF | TK60S06K3L(T6L1,NQ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLR3636TRLPBF | A33-TK60S06K3L(T6L1,NQ-0 | ||||||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Toshiba | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRLR3636TRLPBF, 99 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装 | MOSFET N-CH 60V 60A DPAK | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 宽度 | 2.39mm | - | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.3mΩ | - | ||||||||||||
| 产品状态 | - | 在售 | ||||||||||||
| 引脚数目 | 3 | - | ||||||||||||
| 最小栅阈值电压 | 1V | - | ||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2900 pF @ 10 V | ||||||||||||
| Vgs(th) | - | 3V @ 1mA | ||||||||||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 4.5V | - | ||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 60 nC @ 10 V | ||||||||||||
| 封装/外壳 | - | DPAK+ | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 175°C(TJ) | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 99A | 60A(Ta) | ||||||||||||
| 长度 | 6.73mm | - | ||||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||||||
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | - | ||||||||||||
| 正向二极管电压 | 1.3V | - | ||||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 6V,10V | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 100µA | - | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3779pF | - | ||||||||||||
| 高度 | 6.22mm | - | ||||||||||||
| 类别 | 功率 MOSFET | - | ||||||||||||
| 典型关断延迟时间 | 43 ns | - | ||||||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60 V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 143W | 88W(Tc) | ||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 8 毫欧 @ 30A,10V | ||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 50V | - | ||||||||||||
| 系列 | HEXFET | - | ||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 45 ns | - | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 49nC | - | ||||||||||||
| 正向跨导 | 31S | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 0 | 1,491 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR3636TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 99A 8.3mΩ 143W |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
|
TK60S06K3L(T6L1,NQ | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 88W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 60A(Ta) |
￥8.3367
|
1,734 | 对比 | ||||||||||||||
|
|
TK60S06K3L(T6L1,NQ | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 88W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 60A(Ta) |
￥8.3367
|
1,491 | 对比 | ||||||||||||||
|
IRLR3636TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 143W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.8mΩ@50A,10V N-Channel 60V 99A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
|
IPD079N06L3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C 60V 50A 7.9mΩ@50A,10V ±20V 79W N-Channel TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
|
AOD2606 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V 20V 46A 150W 6.8mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
