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NTJD4152PT1G  与  PMDT670UPE,115  区别

型号 NTJD4152PT1G PMDT670UPE,115
唯样编号 A-NTJD4152PT1G A-PMDT670UPE,115
制造商 ON Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-363 SOT666
工作温度 -55℃~150℃ 150℃
连续漏极电流Id -0.88A -0.55A
Rds On(Max)@Id,Vgs 260mΩ@880mA,4.5V -
漏源极电压Vds -20V -20V
输入电容 - 58pF
Pd-功率耗散(Max) 272mW 0.33W
Rds On(max)@Id,Vgs - 1500mΩ@2.5V,850mΩ@4.5V
输出电容 - 21pF
栅极电压Vgs ±12V 8V,-0.8V
FET类型 P-Channel P-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
770+ :  ¥1.1023
1,000+ :  ¥0.8545
2,000+ :  ¥0.7004
4,000+ :  ¥0.631
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PMDT670UPE_SOT666

¥1.1023 

阶梯数 价格
770: ¥1.1023
1,000: ¥0.8545
2,000: ¥0.7004
4,000: ¥0.631
0 对比

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