NTJD4152PT1G 与 PMDT670UPE,115 区别
| 型号 | NTJD4152PT1G | PMDT670UPE,115 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-NTJD4152PT1G | A-PMDT670UPE,115 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 | MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT666 |
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C |
| 连续漏极电流Id | -0.88A | -0.55A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 260mΩ@880mA,4.5V | - |
| 漏源极电压Vds | -20V | -20V |
| 输入电容 | - | 58pF |
| Pd-功率耗散(Max) | 272mW | 0.33W |
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 1500mΩ@2.5V,850mΩ@4.5V |
| 输出电容 | - | 21pF |
| 栅极电压Vgs | ±12V | 8V,-0.8V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTJD4152PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-363 P-Channel 260mΩ@880mA,4.5V 272mW -55°C~150°C ±12V -20V -0.88A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
DMP2004DWK-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
900mΩ@430mA,4.5V 250mW -65°C~150°C(TJ) SOT-363 P-Channel 20V 0.43A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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PMDT670UPE,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT666 P-Channel 0.33W 150°C 8V,-0.8V -20V -0.55A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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