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NVTFS052P04M8LTAG  与  RQ3G110ATTB  区别

型号 NVTFS052P04M8LTAG RQ3G110ATTB
唯样编号 A-NVTFS052P04M8LTAG A-RQ3G110ATTB
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 12.4mΩ@11A,10V
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 40 V
Pd-功率耗散(Max) - 2W(Ta)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2750 pF @ 20 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 8-WDFN(3.3x3.3) 8-PowerVDFN
连续漏极电流Id - 11A(Ta),35A(Tc)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 46 nC @ 10 V
工作温度 - 150°C(TJ)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 25
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥8.6656
100+ :  ¥5.494
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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8-PowerVDFN

¥8.6656 

阶梯数 价格
1: ¥8.6656
100: ¥5.494
25 对比

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