NVTFS052P04M8LTAG 与 RQ3G110ATTB 区别
| 型号 | NVTFS052P04M8LTAG | RQ3G110ATTB |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-NVTFS052P04M8LTAG | A3-RQ3G110ATTB |
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 12.4mΩ@11A,10V |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 产品特性 | 车规 | - |
| 漏源极电压Vds | - | 40 V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2W(Ta) |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2750 pF @ 20 V |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 封装/外壳 | 8-WDFN(3.3x3.3) | 8-PowerVDFN |
| 连续漏极电流Id | - | 11A(Ta),35A(Tc) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 46 nC @ 10 V |
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4.5V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 100 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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NVTFS052P04M8LTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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RQ3G110ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A(Ta),35A(Tc) P-Channel ±20V 12.4mΩ@11A,10V 2W(Ta) 150°C(TJ) 40 V 8-PowerVDFN |
￥8.2984
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996 | 对比 | ||||||||||||
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RQ3G110ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A(Ta),35A(Tc) P-Channel ±20V 12.4mΩ@11A,10V 2W(Ta) 150°C(TJ) 40 V 8-PowerVDFN |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||
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RQ3G110ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A(Ta),35A(Tc) P-Channel ±20V 12.4mΩ@11A,10V 2W(Ta) 150°C(TJ) 40 V 8-PowerVDFN |
￥8.2984
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55 | 对比 | ||||||||||||
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RQ3G110ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A(Ta),35A(Tc) P-Channel ±20V 12.4mΩ@11A,10V 2W(Ta) 150°C(TJ) 40 V 8-PowerVDFN |
￥8.6656
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25 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
