PMGD175XNEX 与 DMN3190LDW-7 区别
| 型号 | PMGD175XNEX | DMN3190LDW-7 | ||||||||
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| 唯样编号 | A-PMGD175XNEX | A36-DMN3190LDW-7 | ||||||||
| 制造商 | Nexperia | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 870MA 6TSSOP | DMN3190LDW: 30 V 190 mOhm Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-363 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 190mΩ@1.3A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 0.26W | 320mW | ||||||||
| 输出电容 | 13pF | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | 1V,12V | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT363 | SOT-363 | ||||||||
| 工作温度 | 150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 0.95A | 1A | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.8V @ 250µA | ||||||||
| 输入电容 | 81pF | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 87pF @ 20V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 2nC @ 10V | ||||||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | 252mΩ@4.5V,319mΩ@2.5V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 3,508 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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PMGD175XNEX | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N-Channel 0.26W 150°C 1V,12V 30V 0.95A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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NTJD4401NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
暂无价格 | 84,000 | 对比 | ||||||||||
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NTJD4401NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
￥0.627
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9,230 | 对比 | ||||||||||
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DMN2004DWK-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
8V 550mΩ@540mA,4.5V 200mW -65°C~150°C(TJ) SOT-363 N-Channel 20V 0.54A |
￥0.7513
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3,511 | 对比 | ||||||||||
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DMN3190LDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
190mΩ@1.3A,10V 320mW -55°C~150°C(TJ) SOT-363 N-Channel 30V 1A |
￥0.6765
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3,508 | 对比 | ||||||||||
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AO7800 | AOS | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SC70-6 N-Channel 20V 8V 0.9A 0.3W 300mΩ@4.5V |
￥1.628
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1,233 | 对比 |
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