PMGD175XNEX 与 DMN3190LDW-7 区别
| 型号 | PMGD175XNEX | DMN3190LDW-7 | ||||||
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| 唯样编号 | A-PMGD175XNEX | A36-DMN3190LDW-7 | ||||||
| 制造商 | Nexperia | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 870MA 6TSSOP | DMN3190LDW: 30 V 190 mOhm Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-363 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 0.26W | 320mW | ||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||
| 输出电容 | 13pF | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | 1V,12V | - | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | SOT363 | SOT-363 | ||||||
| 工作温度 | 150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | 0.95A | 1A | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.8V @ 250µA | ||||||
| 输入电容 | 81pF | - | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 87pF @ 20V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 2nC @ 10V | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 252mΩ@4.5V,319mΩ@2.5V | 190mΩ@1.3A,10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 479 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PMGD175XNEX | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N-Channel 252mΩ@4.5V,319mΩ@2.5V 0.26W 150°C 1V,12V 30V 0.95A |
￥1.2348
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0 | 当前型号 | ||||||||||||
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NTJD4401NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
暂无价格 | 84,000 | 对比 | ||||||||||||
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AO7800 | AOS | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SC70-6 N-Channel 20V 8V 0.9A 0.3W 300mΩ@4.5V |
￥1.6282
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23,763 | 对比 | ||||||||||||
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DMN3190LDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
190mΩ@1.3A,10V 320mW -55°C~150°C(TJ) SOT-363 N-Channel 30V 1A |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
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NTJD4401NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
￥0.6792
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2,153 | 对比 | ||||||||||||
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DMN3190LDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
190mΩ@1.3A,10V 320mW -55°C~150°C(TJ) SOT-363 N-Channel 30V 1A |
￥0.8196
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479 | 对比 |
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