PMPB15ENE 与 SIA462DJ-T1-GE3 区别
| 型号 | PMPB15ENE | SIA462DJ-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PMPB15ENE | A3t-SIA462DJ-T1-GE3 |
| 制造商 | Nexperia | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | DFN2020MD‑6 | PowerPAK® SC-70-6 |
| 连续漏极电流Id | - | 12A(Tc) |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 18 mOhms @ 9A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 3.5W(Ta),19W(Tc) |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| Vgs(th) | - | 2.4V @ 250uA |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PMPB15ENE | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
DFN2020MD‑6 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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SIA462DJ-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
12A(Tc) N-Channel 18 mOhms @ 9A,10V 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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RF4E080GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8A 2W 17.6mΩ 30V 2.5V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
¥2.8173
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2,597 | 对比 | ||||||||||||||
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RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
¥4.4175
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2,490 | 对比 | ||||||||||||||
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RF4E070GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 21.4mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML N-Channel 30V 7A |
¥2.7215
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2,040 | 对比 | ||||||||||||||
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RF4E080GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8A 2W 17.6mΩ 30V 2.5V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 200 | 对比 |