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PMPB25ENEX  与  RF4E080GNTR  区别

型号 PMPB25ENEX RF4E080GNTR
唯样编号 A-PMPB25ENEX A33-RF4E080GNTR-0
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET DFN2020MD-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 17.6mΩ
上升时间 - 3.6ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.1W 2W
Qg-栅极电荷 - 5.8nC
输出电容 113pF -
栅极电压Vgs 20V,1.5V 2.5V
典型关闭延迟时间 - 17.3ns
正向跨导 - 最小值 - 5S
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT1220 DFN2020-8
工作温度 175°C -55°C~150°C
连续漏极电流Id 10A 8A
系列 - RF4E080GN
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
输入电容 607pF -
Rds On(max)@Id,Vgs 32mΩ@4.5V,24mΩ@10V -
下降时间 - 2.4ns
典型接通延迟时间 - 6.9ns
库存与单价
库存 0 2,597
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税)
560+ :  ¥1.8267
1,000+ :  ¥1.4271
1,500+ :  ¥1.1698
3,000+ :  ¥1.0172
60+ :  ¥2.8173
100+ :  ¥2.1657
300+ :  ¥1.744
500+ :  ¥1.6578
1,000+ :  ¥1.5907
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMPB25ENEX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PMPB25ENE_SOT1220 N-Channel 2.1W 175°C 20V,1.5V 30V 10A

¥1.8267 

阶梯数 价格
560: ¥1.8267
1,000: ¥1.4271
1,500: ¥1.1698
3,000: ¥1.0172
0 当前型号
RF4E070BNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel ±20V 2W(Ta) 28.6mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML2020L8 30V 7A

暂无价格 12,000 对比
RF4E070BNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel ±20V 2W(Ta) 28.6mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML2020L8 30V 7A

¥2.5586 

阶梯数 价格
60: ¥2.5586
100: ¥1.9165
300: ¥1.4853
500: ¥1.3991
1,000: ¥1.332
3,000 对比
DMN3042LFDF-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.1W(Ta) ±12V U-DFN2020-6(F 类) -55°C~150°C(TJ) 30V 7A(Ta)

¥0.9724 

阶梯数 价格
60: ¥0.9724
200: ¥0.748
1,500: ¥0.6501
2,400 对比
RF4E070BNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel ±20V 2W(Ta) 28.6mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML2020L8 30V 7A

¥1.1833 

阶梯数 价格
460: ¥1.1833
1,000: ¥0.9682
1,500: ¥0.7261
3,000: ¥0.5379
0 对比
RF4E080GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8A 2W 17.6mΩ 30V 2.5V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.8173 

阶梯数 价格
60: ¥2.8173
100: ¥2.1657
300: ¥1.744
500: ¥1.6578
1,000: ¥1.5907
2,597 对比

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