PMPB25ENEX 与 RF4E070BNTR 区别
| 型号 | PMPB25ENEX | RF4E070BNTR |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PMPB25ENEX | A3x-RF4E070BNTR |
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET DFN2020MD-6 | 30V, 7A, 28.6 MOHM, PQFN 2X2 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 28.6mΩ@7A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.1W | 2W(Ta) |
| 输出电容 | 113pF | - |
| 栅极电压Vgs | 20V,1.5V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT1220 | HUML2020L8 |
| 工作温度 | 175°C | 150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 10A | 7A |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA |
| 输入电容 | 607pF | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 410pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 8.9nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 32mΩ@4.5V,24mΩ@10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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PMPB25ENEX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 2.1W 175°C 20V,1.5V 30V 10A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RF4E070BNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel ±20V 2W(Ta) 28.6mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML2020L8 30V 7A |
￥2.5586
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3,000 | 对比 | ||||||||||||||
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RF4E070BNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel ±20V 2W(Ta) 28.6mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML2020L8 30V 7A |
￥0.5379
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0 | 对比 | ||||||||||||||
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RF4E070BNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel ±20V 2W(Ta) 28.6mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML2020L8 30V 7A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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RF4E080GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8A 2W 17.6mΩ 30V 2.5V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.8173
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2,597 | 对比 | ||||||||||||||
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RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥4.4175
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2,490 | 对比 |
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