PMV100XPEAR 与 FDN308P 区别
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规格信息
型号	PMV100XPEAR	FDN308P
唯样编号	A-PMV100XPEAR	A3t-FDN308P
制造商	Nexperia	ON Semiconductor
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	小信号MOSFET	通用MOSFET
描述	MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB	P-Channel 20 V 125 mOhm 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet - SSOT-3
数据表	PMV100XPEA.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率	-	500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	-	125 毫欧 @ 1.5A,4.5V
漏源极电压Vds	-20V	20V
产品特性	车规	-
Pd-功率耗散(Max)	0.463W	500mW(Ta)
输出电容	54pF	-
栅极电压Vgs	12V,-1V	±12V
FET类型	P-Channel	P-Channel
封装/外壳	SOT23	SuperSOT
工作温度	150°C	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	-2.4A	1.5A
系列	-	PowerTrench®
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	-	1.5V @ 250µA
输入电容	386pF	-
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	341pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	5.4nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	-	2.5V,4.5V
Rds On(max)@Id,Vgs	128mΩ@4.5V,210mΩ@2.5V	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-	1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	341pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	5.4nC @ 4.5V
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
PMV100XPEAR	Nexperia	数据手册	小信号MOSFET	SOT23 P-Channel 0.463W 150°C 12V,-1V -20V -2.4A 车规	暂无价格	当前型号
IRLML2246TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 135mΩ@2.6A,4.5V P-Channel 20V 2.6A Micro3™/SOT-23	暂无价格	对比
AO3423	AOS	数据手册	功率MOSFET	SOT-23 P-Channel -20V ±12V -2A 1.4W 92mΩ@-2A,-10V -55°C~150°C	暂无价格	对比
FDN308P	ON Semiconductor		通用MOSFET	1.5A(Ta) ±12V 500mW(Ta) 125m Ohms@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 20V 1.5A 125 毫欧 @ 1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ)	暂无价格	对比
BSS215P H6327	Infineon	数据手册	小信号MOSFET	20V 1.5A 105mΩ 12V 500mW(1/2W) P-Channel -55°C~150°C 车规	暂无价格	对比
DMG2301LK-7	Diodes Incorporated	数据手册	通用MOSFET	P-Channel 840mW(Ta) ±12V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 20V 2.4A(Ta)	暂无价格	对比