参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | SOT-23 | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 漏源极电压Vds | -20V | |
| 栅极电压Vgs | ±12V | |
| 连续漏极电流Id | -2A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 92mΩ@-2A,-10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 118mΩ | |
| Rds On(Max)@2.5V | 166mΩ | |
| VGS(th) | -1.2 | |
| Ciss(pF) | 325 | |
| Coss(pF) | 63 | |
| Crss(pF) | 37 | |
| Qg*(nC) | 3.2 | |
| Qgd(nC) | 0.9 | |
| Td(on)(ns) | 11 | |
| Td(off)(ns) | 8 | |
| Trr(ns) | 6.1 | |
| Qrr(nC) | 1.4 | |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
16W
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| 起订量： 3,000 | 倍数：1 |
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
具有集成双共漏极N沟道MOSFET的电池保护IC
具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| GP3139 | 240,000 |
| BUK7K6R2-40EX | 193,500 |
| IRF4905STRLPBF | 63,200 |
| BUK9832-55A/CUX | 44,000 |
| IRFZ24NPBF | 35,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AO3423 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23 P-Channel -20V ±12V -2A 1.4W 92mΩ@-2A,-10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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PMV65XP,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 P-Channel 0.48W -55°C~150°C ±12V -20V -2.8A |
暂无价格 | 378 | 对比 |
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DMP2215L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 2.7A 1.08W 100mΩ 20V 450mV P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMG2301U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 800mW(Ta) 130mΩ@2.8A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 2.7A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMP2123LQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1.4W(Ta) ±12V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 20V 3A(Ta) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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RTR030P02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 3A(Ta) ±12V 1W(Ta) 75mΩ@3A,4.5V 150°C(TJ) 20V 3A SC-96 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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