PMV16XNR 与 DMN1019USN-7 区别
| 型号 | PMV16XNR | DMN1019USN-7 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PMV16XNR | A36-DMN1019USN-7 | ||||||
| 制造商 | Nexperia | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB | MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 12V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 0.51W | 680mW(Ta) | ||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 10mΩ@9.7A,4.5V | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2426 pF @ 10 V | ||||||
| 输出电容 | 145pF | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±8V | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 50.6 nC @ 8 V | ||||||
| 封装/外壳 | SOT23 | SC-59-3 | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | 8.6A | 9.3A(Ta) | ||||||
| 驱动电压 | - | 1.2V,2.5V | ||||||
| 输入电容 | 1240pF | - | ||||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | 20mΩ@6.8A,4.5V | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 843 | 1,819 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PMV16XNR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.51W -55°C~150°C ±12V 20V 8.6A |
暂无价格 | 843 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO3416 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 20V ±8V 6.5A 1.4W 22mΩ@6.5A,4.5V -55°C~150°C |
￥0.7513
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42,112 | 对比 | ||||||||||||
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DMG3414U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.2A 780mW 25mΩ 20V 500mV |
￥0.6193
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5,663 | 对比 | ||||||||||||
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IRLML6244TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 21mΩ@6.3A,4.5V N-Channel 20V 6.3A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
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AO3420 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 20V ±12V 6A 1.4W 24mΩ@6A,10V -55°C~150°C |
￥0.641
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2,685 | 对比 | ||||||||||||
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DMN1019USN-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 680mW(Ta) ±8V SC-59-3 -55°C~150°C(TJ) 12V 9.3A(Ta) |
￥0.9196
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1,819 | 对比 |
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