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PMZB150UNEYL  与  DMN2300UFB4-7B  区别

型号 PMZB150UNEYL DMN2300UFB4-7B
唯样编号 A-PMZB150UNEYL A-DMN2300UFB4-7B
制造商 Nexperia Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3 N-Channel 20 V 175 mOhm 1.6 nC Enhancement Mosfet - DFN-1006-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 175mΩ@300mA,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 0.35W 500mW(Ta)
输出电容 18pF -
栅极电压Vgs 0.7V,8V ±8V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT883B X2-DFN
工作温度 150℃ -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.5A 1.3A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 950mV @ 250µA
输入电容 93pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 64.3pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1.6nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.5V,4.5V
Rds On(max)@Id,Vgs 270mΩ@2.5V,200mΩ@4.5V -
库存与单价
库存 21,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥1.2519
100+ :  ¥0.9273
1,000+ :  ¥0.7188
5,000+ :  ¥0.5892
10,000+ :  ¥0.5308
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMZB150UNEYL Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMZB150UNE_SOT883B

¥1.2519 

阶梯数 价格
10: ¥1.2519
100: ¥0.9273
1,000: ¥0.7188
5,000: ¥0.5892
10,000: ¥0.5308
21,000 当前型号
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