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PMZB150UNEYL  与  SSM3K56CT,L3F  区别

型号 PMZB150UNEYL SSM3K56CT,L3F
唯样编号 A-PMZB150UNEYL A-SSM3K56CT,L3F
制造商 Nexperia Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3 MOSFET N-CH 20V 800MA CST3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 20V 20 V
Pd-功率耗散(Max) 0.35W 500mW(Ta)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 235 毫欧 @ 800mA,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 55 pF @ 10 V
Vgs(th) - 1V @ 1mA
输出电容 18pF -
栅极电压Vgs 0.7V,8V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 1 nC @ 4.5 V
封装/外壳 SOT883B CST3
工作温度 150℃ 150°C(TA)
连续漏极电流Id 1.5A 800mA(Ta)
输入电容 93pF -
Vgs(最大值) - ±8V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 1.5V,4.5V
Rds On(max)@Id,Vgs 270mΩ@2.5V,200mΩ@4.5V -
库存与单价
库存 21,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥1.2519
100+ :  ¥0.9273
1,000+ :  ¥0.7188
5,000+ :  ¥0.5892
10,000+ :  ¥0.5308
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMZB150UNEYL Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMZB150UNE_SOT883B

¥1.2519 

阶梯数 价格
10: ¥1.2519
100: ¥0.9273
1,000: ¥0.7188
5,000: ¥0.5892
10,000: ¥0.5308
21,000 当前型号
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