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PSMN009-100B,118  与  IRFS4310PBF  区别

型号 PSMN009-100B,118 IRFS4310PBF
唯样编号 A-PSMN009-100B,118 A-IRFS4310PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 300W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 230W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 7670pF @ 50V
输出电容 620pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 250nC @ 10V
输入电容 8250pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 7 毫欧 @ 75A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 130A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 8.8mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 100V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥15.2914
400+ :  ¥12.9588
800+ :  ¥11.8888
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN009-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN009-100B_SOT404

¥15.2914 

阶梯数 价格
210: ¥15.2914
400: ¥12.9588
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