尊敬的客户:五一劳动节5-1至5-3我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > PSMN3R0-30YL,115代替型号比较

PSMN3R0-30YL,115  与  BSC030N03MSGATMA1  区别

型号 PSMN3R0-30YL,115 BSC030N03MSGATMA1
唯样编号 A-PSMN3R0-30YL,115 A-BSC030N03MSGATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),69W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 81W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 5700pF @ 15V
输出电容 615pF -
栅极电压Vgs 1.7V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT669 8-PowerTDFN
工作温度 175℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 73nC @ 10V
输入电容 2822pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 21A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 3mΩ@10V,4.04mΩ@4.5V -
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
380+ :  ¥5.8054
750+ :  ¥4.7585
1,500+ :  ¥4.3656
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN3R0-30YL,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R0-30YL_SOT669

¥5.8054 

阶梯数 价格
380: ¥5.8054
750: ¥4.7585
1,500: ¥4.3656
0 当前型号
BSC030N03MSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC030N03MS G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSC030N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC030N03LS G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSC030N03LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC030N03LSGATMA1_5.9mm

暂无价格 0 对比
BSC030N03MS G Infineon 功率MOSFET

BSC030N03MSGATMA1_5.9mm

暂无价格 0 对比
AOL1412 AOS  数据手册 功率MOSFET

UltraSO-8?

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售