| 制造商编号 | BSC030N03MS G |
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| 商品别名 | BSC030N03MSGATMA1 |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-BSC030N03MS G |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
漏源极电压Vds：30V 连续漏极电流Id：100A Rds On(Max)@Id,Vgs：2.5mΩ 栅极电压Vgs：20V Pd-功率耗散(Max)：69W
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暂无数据
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 100A | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.5mΩ | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| Qg-栅极电荷 | 73nC | |
| 配置 | Single | |
| Pd-功率耗散(Max) | 69W | |
| 高度 | 1.27mm | |
| 长度 | 5.9mm | |
| 系列 | OptiMOS3M | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 宽度 | 5.15mm | |
| 正向跨导 - 最小值 | 48S | |
| 下降时间 | 9.4ns | |
| 上升时间 | 10ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 23ns | |
| 典型接通延迟时间 | 19ns | |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：5,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
非常适合用于USB-PD和快速充电器设计
根据超结原理 (SJ) 设计，极低的开关和传导损耗
采用TrenchStop™和Fieldstop技术，可提供卓越的开关性能
Infineon Technologies TRENCHSTOP™ RC-H5 1200V/1350V IGBT开发和优化用于满足感应烹饪应用的严格要求。
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| IPB200N25N3 G | 33,000 |
| SVS70R900DE3TR | 17,500 |
| GP3134K | 8,000 |
| IPB107N20N3 G | 7,000 |
| WST4045 | 3,650 |
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