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Infineon CoolMOS™ 功率晶体管

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根据超结原理 (SJ) 设计,极低的开关和传导损耗

Infineon CoolMOS™ 功率晶体管采用面向高压功率 MOSFET 的革命性 CoolMOS™ 技术,该技术根据超结原理 (SJ) 设计,并由 Infineon率先应用。 CoolMOS™ C6和E6系列功率晶体管融合了一流SJ MOSFET供应商的行业经验,并兼具高度的创新性。它在提供快速开关SJ MOSFET的所有优势的同时,丝毫没有牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、小巧、轻便,散热效果也更佳。这些功率晶体管具备快速开关SJ MOSFET的所有优势,同时提供坚固的超高速体二极管。

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特性:

  • FOM Rdson*Qg和EOS极低

  • 非常高的换向耐用性

  • 多种封装

  • Vds范围:500V~950V

  • FET类型:N-Channe

应用:

适用于PC Silverbox、LCD TV 、照明、服务器和电信等应用的谐振开关PWM阶段

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